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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD3706 起订601个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD3706 起订601个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":198821,"MI+":30000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3706

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€44W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1882pF@10V

    连续漏极电流:14.7A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4465 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4465 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2694pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3989EV-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3989EV-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3989EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.67W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ204EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ204EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ204EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W€48W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@6V€3700pF@6V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS420EN-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS420EN-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS420EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订213个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订213个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":235,"23+":1866}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3989EV-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3989EV-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3989EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.67W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2694pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3985EV-T1_BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3985EV-T1_BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3985EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:145mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@6V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":235,"23+":1866}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1902AEL-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1902AEL-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1902AEL-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@10V

    连续漏极电流:780mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:415mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11680pF@6V

    连续漏极电流:238A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11680pF@6V

    连续漏极电流:238A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4465 起订1250个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4465 起订1250个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订625个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订625个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2694pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2351ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2351ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11680pF@6V

    连续漏极电流:238A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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