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    阈值电压: 1.5V@250µA
    工作温度: -40℃~150℃
    栅极电荷: 5.45nC@10V
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 1.6A
    当前匹配商品:10+
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    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100DR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100D

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订30个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订30个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100DR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订75个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订75个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100D

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100DR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":15,"10+":453,"11+":5887,"12+":225,"MI+":1100}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100D

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100D

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100D

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订150个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订150个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100D

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":15,"10+":453,"11+":5887,"12+":225,"MI+":1100}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100D

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100D

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订75个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订75个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100D

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":564}

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100DR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订1050个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订1050个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100D

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订525个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订525个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100D

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订2025个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100D 起订2025个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100D

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

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