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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
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漏源电压：30V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
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阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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功率：2.6W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：2.6W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
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输入电容：1370pF@15V
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规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
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输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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功率：2.6W
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类型：N沟道
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功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
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输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4413LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4965pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P-Channel
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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