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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HV-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HV-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002HV-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002HV-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HV-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002HV-TP
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功率：200mW
阈值电压：1.8V@250µA
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
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输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HV-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HV-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HV-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HV-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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