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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6P65W，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK6P65W，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
漏源电压：650V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK6P65W，RQ
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功率：60W
阈值电压：3.5V@180µA
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栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB120N10S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK6P65W，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N10S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.5V@180µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB120N10S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：IPB180N10S403ATMA1
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类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
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输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
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规格型号(MPN)：IPB180N10S403ATMA1
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连续漏极电流：180A
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输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
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类型：N沟道
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连续漏极电流：120A
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连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK6P65W，RQ
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功率：60W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK6P65W，RQ
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功率：60W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
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输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：5.8A
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导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
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栅极电荷：11nC@10V
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输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
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规格型号(MPN)：IPB120N10S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK6P65W，RQ
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功率：60W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
漏源电压：650V
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栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：IPB180N10S403ATMA1
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功率：250W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
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栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10120pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
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规格型号(MPN)：IPB180N10S403ATMA1
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功率：250W
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输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N10S403ATMA1
阈值电压：3.5V@180µA
包装方式：卷带（TR）
功率：250W
类型：N沟道
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：180A
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导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：10120pF@25V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6P65W，RQ
连续漏极电流：5.8A
阈值电压：3.5V@180µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：60W
漏源电压：650V
输入电容：390pF@300V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S403ATMA1
阈值电压：3.5V@180µA
包装方式：卷带（TR）
功率：250W
类型：N沟道
栅极电荷：140nC@10V
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连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：10120pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S403ATMA1
阈值电压：3.5V@180µA
包装方式：卷带（TR）
功率：250W
类型：N沟道
栅极电荷：140nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：10120pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
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