品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S412AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S412AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S412AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6680,"23+":11002}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S412AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6680,"23+":11002}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S412AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2017,"22+":3409,"23+":25423,"24+":2922}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S412AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S412AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2891,"23+":13175,"MI+":11745}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2891,"23+":13175,"MI+":11745}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6680,"23+":11002}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S412AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2017,"22+":3409,"23+":25423,"24+":2922}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: