品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5849,"23+":3550}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C677NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:11A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5849,"23+":3550}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C677NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:11A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
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类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C677NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C677NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:11A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C677NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:11A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C677NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:11A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C677NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:11A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":1888,"10+":2177}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO150N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4373,"21+":6202,"22+":12625,"23+":877}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C677NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:11A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5849,"23+":3550}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: