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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN13008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@40V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：13.3mΩ@9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN13008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@40V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：13.3mΩ@9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5900CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN5900CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
