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品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K17FU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@10mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
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漏源电压：10V
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工作温度：150℃
功率：150mW
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功率：150mW
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输入电容：7pF@3V
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类型：N沟道
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功率：300mW
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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功率：300mW
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规格型号(MPN)：SSM3K17FU，LF
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功率：150mW
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
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功率：300mW
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连续漏极电流：50mA
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工作温度：-55℃~125℃
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功率：300mW
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功率：300mW
工作温度：-55℃~125℃
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：10V
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工作温度：150℃
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输入电容：7pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@10mA，4V
漏源电压：50V
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输入电容：7pF@3V
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类型：N沟道
导通电阻：20Ω@10mA，4V
漏源电压：50V
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工作温度：150℃
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ECCN：EAR99
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输入电容：7pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@10mA，4V
漏源电压：50V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：150℃
功率：150mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@10mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K17FU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@10mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K17FU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@10mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K17FU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@10mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K17FU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@10mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K17FU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@10mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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