采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：51598}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5904T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4838DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5DNF20V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：600mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4838DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4866DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：51598}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5904T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4838DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5DNF20V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：600mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4866DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4866DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：16346，"08+"：15000，"10+"：315000，"11+"：189000，"14+"：3000，"16+"：27000，"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4866DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4838DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4838DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4866DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：5994}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：16346，"08+"：15000，"10+"：315000，"11+"：189000，"14+"：3000，"16+"：27000，"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4866DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4866DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4866DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
