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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：9W€255W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6305pF@50V
连续漏极电流：45A€236A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：9W€255W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6305pF@50V
连续漏极电流：45A€236A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：9W€255W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6305pF@50V
连续漏极电流：45A€236A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：9W€255W
阈值电压：4V@520µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6305pF@50V
连续漏极电流：45A€236A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：9W€255W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6305pF@50V
连续漏极电流：45A€236A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：9W€255W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6305pF@50V
连续漏极电流：45A€236A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：9W€255W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6305pF@50V
连续漏极电流：45A€236A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：9W€255W
阈值电压：4V@520µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6305pF@50V
连续漏极电流：45A€236A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：9W€255W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6305pF@50V
连续漏极电流：45A€236A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4V@520µA
功率：9W€255W
类型：N沟道
连续漏极电流：45A€236A
导通电阻：2mΩ@90A，10V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：89nC@10V
ECCN：EAR99
输入电容：6305pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4V@520µA
功率：9W€255W
类型：N沟道
连续漏极电流：45A€236A
导通电阻：2mΩ@90A，10V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：89nC@10V
输入电容：6305pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4V@520µA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
漏源电压：60V
连续漏极电流：2.8A
输入电容：790pF@30V
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：9W€255W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6305pF@50V
连续漏极电流：45A€236A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：9W€255W
阈值电压：4V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6305pF@50V
连续漏极电流：45A€236A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：9W€255W
阈值电压：4V@520µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6305pF@50V
连续漏极电流：45A€236A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP12DP06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@520µA
栅极电荷：20.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：9W€255W
阈值电压：4V@520µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6305pF@50V
连续漏极电流：45A€236A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC002N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：9W€255W
阈值电压：4V@520µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6305pF@50V
连续漏极电流：45A€236A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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