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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
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功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
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输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
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输入电容：4105 pF @ 15 V
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类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
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输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
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类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
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功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
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类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
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输入电容：4105 pF @ 15 V
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类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1798，"23+"：3893，"MI+"：1352}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB067N08N3GATMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：136W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 73µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840 pF @ 40 V
连续漏极电流：80A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.7 毫欧 @ 73A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1798，"23+"：3893，"MI+"：1352}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB067N08N3GATMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：136W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 73µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840 pF @ 40 V
连续漏极电流：80A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.7 毫欧 @ 73A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1798，"23+"：3893，"MI+"：1352}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB067N08N3GATMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：136W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 73µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840 pF @ 40 V
连续漏极电流：80A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.7 毫欧 @ 73A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB067N08N3GATMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：136W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 73µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840 pF @ 40 V
连续漏极电流：80A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.7 毫欧 @ 73A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB067N08N3GATMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：136W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 73µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840 pF @ 40 V
连续漏极电流：80A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.7 毫欧 @ 73A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
