品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1036pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ26N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2220pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R099C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1819pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA90R800C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@460µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4.1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1036pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA90R800C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@460µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4.1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"9999":300}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA082N10NF2SXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:3.8V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N65K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI90R800C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.5V@460µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4.1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP130N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP90N055T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2770pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ26N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2220pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ26N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2220pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP90N055T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2770pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ26N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2220pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N65K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1036pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R099C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@490µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1819pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R099C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@490µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1819pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI90R800C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.5V@460µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4.1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: