采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF10
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4270pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6870pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STP60NF10
功率：300W
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包装方式：管件
输入电容：4270pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@40A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM045NB06CR RLG
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：6870pF@30V
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类型：N沟道
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包装方式：管件
输入电容：4270pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
栅极电荷：104nC@10V
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阈值电压：4V@250µA
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