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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR6225TRPBF
工作温度：-50℃~150℃
功率：63W
阈值电压：1.1V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@21A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR6225TRPBF
工作温度：-50℃~150℃
功率：63W
阈值电压：1.1V@50µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@21A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR6225TRPBF
工作温度：-50℃~150℃
功率：63W
阈值电压：1.1V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@21A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR6225TRPBF
工作温度：-50℃~150℃
功率：63W
阈值电压：1.1V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@21A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2008UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
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输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
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输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR6225TRPBF
工作温度：-50℃~150℃
功率：63W
阈值电压：1.1V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@21A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR6225TRPBF
工作温度：-50℃~150℃
功率：63W
阈值电压：1.1V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@21A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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