采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：10}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8728，"23+"：50287，"24+"：122930}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8728，"23+"：50287，"24+"：122930}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF27N60M2-EP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：163mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW27N60M2-EP
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：163mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW27N60M2-EP
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：163mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF27N60M2-EP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：163mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8728，"23+"：50287，"24+"：122930}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW27N60M2-EP
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：163mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8728，"23+"：50287，"24+"：122930}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
功率：2.1W€50W
导通电阻：11mΩ@20A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@23µA
栅极电荷：33nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：2700pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
