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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：833，"23+"：1282，"MI+"：8934}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：833，"23+"：1282，"MI+"：8934}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
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类型：N沟道
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漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：833，"23+"：1282，"MI+"：8934}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
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输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
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连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
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输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
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连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
阈值电压：2V@31µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：75V
栅极电荷：33nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：27A
导通电阻：50mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
功率：75W
输入电容：630pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
阈值电压：2V@31µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：75V
栅极电荷：33nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：27A
导通电阻：50mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
功率：75W
输入电容：630pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2040pF@50V
类型：N沟道
工作温度：175℃
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
连续漏极电流：40A
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
阈值电压：2V@31µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：75V
栅极电荷：33nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：27A
导通电阻：50mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
功率：75W
输入电容：630pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
