采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8882
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：12.6A€55A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA403EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA403EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA403EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD18P06PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4184A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€50W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD18P06PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：833，"23+"：1282，"MI+"：8934}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8882
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：12.6A€55A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：833，"23+"：1282，"MI+"：8934}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN028-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：89W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1634pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA405EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA403EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4184A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€50W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4080EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD18P06PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4184A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€50W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4184A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€50W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4184A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€50W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4184A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€50W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD18P06PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA403EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
