品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26.7nC@10V
输入电容:1.281nF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:11mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26.7nC@10V
输入电容:1.281nF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:11mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26.7nC@10V
输入电容:1.281nF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:11mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: