品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33.8W
阈值电压:4V@13µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:425mΩ@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87H6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@108µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:97pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@260mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN100-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV100ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€4.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV100ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€4.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33.8W
阈值电压:4V@13µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:425mΩ@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33.8W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:425mΩ@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV90ENER
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV100ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€4.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV90ENER
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV90ENER
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87H6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@108µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:97pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@260mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87H6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@108µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:97pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@260mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87H6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@108µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:97pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@260mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV90ENER
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV90ENER
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87H6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@108µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:97pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@260mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87H6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@108µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:97pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@260mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV100ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€4.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87H6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@108µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:97pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@260mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV90ENER
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33.8W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:425mΩ@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV90ENER
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV90ENER
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87H6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@108µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:97pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@260mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV100ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€4.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: