采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H065LFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@50V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN100-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H065LFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@50V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H065LFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@50V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H065LFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@50V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H065LFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@50V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN100-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H065LFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@50V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P-ES
功率：1W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：5.5nC@10V
输入电容：310pF@30V
连续漏极电流：2A
反向传输电容：18pF@30V
导通电阻：170mΩ@10V，1.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H065LFDF-13
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：115V
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
功率：1W
输入电容：252pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H065LFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@50V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P-ES
功率：1W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：5.5nC@10V
输入电容：310pF@30V
连续漏极电流：2A
反向传输电容：18pF@30V
导通电阻：170mΩ@10V，1.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P-ES
功率：1W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：5.5nC@10V
输入电容：310pF@30V
连续漏极电流：2A
反向传输电容：18pF@30V
导通电阻：170mΩ@10V，1.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P-ES
功率：1W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：5.5nC@10V
输入电容：310pF@30V
连续漏极电流：2A
反向传输电容：18pF@30V
导通电阻：170mΩ@10V，1.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN100-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN100-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN100-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H065LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@50V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H065LFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@50V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H065LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@50V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
