品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
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连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
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输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
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连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
栅极电荷:14.3nC@10V
功率:1.8W
输入电容:329pF@25V
阈值电压:1.8V@218µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
栅极电荷:14.3nC@10V
功率:1.8W
输入电容:329pF@25V
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085N03PQ33 RGG
输入电容:817pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:37W
栅极电荷:14.3nC@10V
导通电阻:8.5mΩ@13A,10V
连续漏极电流:52A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: