采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2800T1L-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：散装
输入电容：1.77nF@15V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.3mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2800T1L-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：散装
输入电容：1.77nF@15V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.3mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2800T1L-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：散装
输入电容：1.77nF@15V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.3mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：97W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
输入电容：1.28nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
反向传输电容：100pF@25V
导通电阻：31.5mΩ@4.5V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2800T1L-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：散装
输入电容：1.77nF@15V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.3mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2800T1L-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：散装
输入电容：1.77nF@15V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.3mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：97W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
输入电容：1.28nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
反向传输电容：100pF@25V
导通电阻：31.5mΩ@4.5V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€51W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€51W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€51W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€51W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
