品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":6000}
包装规格(MPQ):369psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2800T1L-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:散装
输入电容:1.77nF@15V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.3mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":6000}
包装规格(MPQ):369psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2800T1L-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:散装
输入电容:1.77nF@15V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.3mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):369psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2800T1L-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:散装
输入电容:1.77nF@15V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.3mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:97W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
输入电容:1.28nF@25V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
反向传输电容:100pF@25V
导通电阻:31.5mΩ@4.5V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":6000}
包装规格(MPQ):369psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2800T1L-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:散装
输入电容:1.77nF@15V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.3mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":6000}
包装规格(MPQ):369psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2800T1L-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:散装
输入电容:1.77nF@15V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.3mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:97W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
输入电容:1.28nF@25V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
反向传输电容:100pF@25V
导通电阻:31.5mΩ@4.5V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD10N20LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€51W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD10N20LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€51W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD10N20LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€51W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD10N20LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€51W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: