品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R1K4CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R1K4CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R1K4CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R1K4CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R1K4CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R1K4CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R1K4CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存: