品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.55V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@12.5V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:277pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@12.5V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.55V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@12.5V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.55V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@12.5V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.55V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@12.5V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:277pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.55V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@12.5V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:277pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:277pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.55V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@12.5V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:277pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@12.5V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:277pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:277pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:277pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@12.5V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:277pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.55V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@12.5V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.55V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@12.5V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: