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    栅极电荷: 26nC@10V
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:90+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R0-40HX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R0-40HX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y7R0-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF530STRL-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF530STRL-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF530STRL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-80BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-80BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:103W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1573pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-80BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-80BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:103W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1573pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN018-80YS,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN018-80YS,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN018-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:89W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@40V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF530STRL-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF530STRL-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF530STRL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S309ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S309ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2451,"21+":909,"22+":2338,"23+":65354,"MI+":4847}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S309ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@28µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:560
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN018-80YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN018-80YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN018-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:89W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@40V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R0-40HX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R0-40HX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y7R0-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R0-40HX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R0-40HX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y7R0-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4615TRLPBF 起订6000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4615TRLPBF 起订6000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR4615TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:144W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@50V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@21A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STD30N6LF6AG
    ST Mosfet场效应管 STD30N6LF6AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30N6LF6AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R0-40HX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R0-40HX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y7R0-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S309ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S309ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2451,"21+":909,"22+":2338,"23+":65354,"MI+":4847}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S309ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@28µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS6H850NLTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS6H850NLTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-80BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-80BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:103W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1573pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STD30N6LF6AG
    ST Mosfet场效应管 STD30N6LF6AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30N6LF6AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R0-40HX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R0-40HX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y7R0-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1630pF@25V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-80BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-80BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:103W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1573pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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