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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：81，"17+"：1071，"MI+"：1682}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：81，"17+"：1071，"MI+"：1682}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
输入电容：2300pF@15V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@200µA
工作温度：175℃
栅极电荷：26nC@10V
功率：630mW€75W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
输入电容：2300pF@15V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@200µA
工作温度：175℃
栅极电荷：26nC@10V
功率：630mW€75W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
