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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
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功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LQ
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功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
栅极电荷：39nC@10V
连续漏极电流：65A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
功率：107W
漏源电压：40V
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
类型：N沟道
工作温度：175℃
阈值电压：2.5V@300µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LQ
栅极电荷：39nC@10V
连续漏极电流：65A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
功率：107W
漏源电压：40V
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
类型：N沟道
工作温度：175℃
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R8A08QM，S4X
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@40V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@29A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R8A08QM，S4X
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@40V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@29A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
