品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840LCLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GLCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40LCPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740LCPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP42AN15A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:5A€35A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@12A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40LCPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40LCPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP42AN15A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:5A€35A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@12A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: