品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N10F7
工作温度:175℃
功率:5W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N10F7
工作温度:175℃
功率:5W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N10F7
工作温度:175℃
功率:5W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N10F7
工作温度:175℃
功率:5W€100W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N10F7
工作温度:175℃
功率:5W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1796}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N10F7
工作温度:175℃
功率:5W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N10F7
工作温度:175℃
功率:5W€100W
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N10F7
工作温度:175℃
功率:5W€100W
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N10F7
工作温度:175℃
功率:5W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL90N10F7
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
工作温度:175℃
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库存: