品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y4R4-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2781pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6N022ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2421pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.26mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2435pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y4R4-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2781pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS482ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1865pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2435pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N10S3L26ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB35N10S3L26ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:26.3mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":416747,"24+":36100,"MI+":3123}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6N022ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2421pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.26mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":416747,"24+":36100,"MI+":3123}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6N022ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2421pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.26mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2151pF@20V
连续漏极电流:15A€75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB35N10S3L26ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:26.3mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS482EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1865pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0702NLSATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€65W
阈值电压:2.3V@26µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:17A€86A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: