采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W
阈值电压：3V@1.037mA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.6nF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
反向传输电容：54pF@30V
导通电阻：54mΩ@10V，3.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W
阈值电压：3V@1.037mA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.6nF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
反向传输电容：54pF@30V
导通电阻：54mΩ@10V，3.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W
阈值电压：3V@1.037mA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.6nF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
反向传输电容：54pF@30V
导通电阻：54mΩ@10V，3.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W
阈值电压：3V@1.037mA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.6nF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
反向传输电容：54pF@30V
导通电阻：54mΩ@10V，3.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
栅极电荷：39nC@10V
类型：1个N沟道
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：27.4A
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
功率：33W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z30PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个P沟道
导通电阻：140mΩ@10V，9.3A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
