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    栅极电荷: 90nC@10V
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AONS62614T 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AONS62614T 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS62614T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.5W€142W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3660pF@30V

    连续漏极电流:39A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6410pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6410pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":29627,"MI+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6410pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6410pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT266L 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT266L 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT266L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€268W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5650pF@30V

    连续漏极电流:18A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT266L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT266L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT266L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€268W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5650pF@30V

    连续漏极电流:18A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6410pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034E_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034E_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50034E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034E_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034E_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50034E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT266L 起订1个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT266L 起订1个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT266L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€268W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5650pF@30V

    连续漏极电流:18A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONS62614T 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AONS62614T 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS62614T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.5W€142W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3660pF@30V

    连续漏极电流:39A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS Mosfet场效应管 JMTK80N06A 起订27个装
    捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS Mosfet场效应管 JMTK80N06A 起订27个装

    品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JMTK80N06A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:108W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:90nC@10V

    输入电容:4.136nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:257pF@30V

    导通电阻:5.3mΩ@10V,30A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT266L 起订1个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT266L 起订1个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT266L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€268W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5650pF@30V

    连续漏极电流:18A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD86540 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD86540 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€127W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    输入电容:6340pF@30V

    连续漏极电流:21.5A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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