采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6290
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A€85A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6435pF@30V
连续漏极电流：20A€50A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50034EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6435pF@30V
连续漏极电流：20A€50A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6435pF@30V
连续漏极电流：20A€50A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6290
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A€85A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT165N08S5N029ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3.8V@108µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6370pF@40V
连续漏极电流：165A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W5，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：4.5V@1.6mA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W5，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：4.5V@1.6mA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP46NF30
工作温度：175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@17A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6435pF@30V
连续漏极电流：20A€50A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-13L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3590pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT24F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI7446GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：40.5W
阈值电压：3.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3199pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@48A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1247，"22+"：1386}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6120pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3018SFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4414pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50034EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH18N100Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830W
阈值电压：6.5V@4mA
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：4890pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@9A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W5，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：4.5V@1.6mA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6290
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A€85A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH18N100Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830W
阈值电压：6.5V@4mA
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：4890pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@9A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6435pF@30V
连续漏极电流：20A€50A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
