品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7172ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~125℃
阈值电压:3.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@100V
连续漏极电流:5.3A€17.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454DDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€29.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:718pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7172ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~125℃
阈值电压:3.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@100V
连续漏极电流:5.3A€17.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@15V
连续漏极电流:5.6A€7.5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@15V
连续漏极电流:5.6A€7.5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@15V
连续漏极电流:5.6A€7.5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454DDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€29.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454DDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€29.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@15V
连续漏极电流:5.6A€7.5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G180MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€30W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1293pF@20V
连续漏极电流:18A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7172ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~125℃
阈值电压:3.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@100V
连续漏极电流:5.3A€17.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M27-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1306pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7172ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~125℃
阈值电压:3.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@100V
连续漏极电流:5.3A€17.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7172ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~125℃
阈值电压:3.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@100V
连续漏极电流:5.3A€17.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7172ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~125℃
阈值电压:3.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@100V
连续漏极电流:5.3A€17.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7172ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~125℃
阈值电压:3.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@100V
连续漏极电流:5.3A€17.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454DDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€29.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G180MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€30W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1293pF@20V
连续漏极电流:18A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M27-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1306pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454DDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€29.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: