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品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580P
功率：26W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：410.8pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.1pF@25V
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580D
功率：26W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：410.8pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.1pF@25V
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580D
功率：26W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：410.8pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.1pF@25V
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580D
功率：26W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：410.8pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.1pF@25V
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580P
功率：26W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：410.8pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.1pF@25V
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580D
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：8A
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
类型：1个N沟道
栅极电荷：8.6nC@10V
功率：26W
输入电容：410.8pF@25V
反向传输电容：3.1pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580P
功率：26W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：410.8pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.1pF@25V
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
功率：740mW
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
