采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL025P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL025P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL025P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL025P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL025P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL025P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL025P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL025P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL025P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
漏源电压：900V
工作温度：150℃
功率：40W
类型：N沟道
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
功率：56.8W
输入电容：370pF@25V
工作温度：-50℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
连续漏极电流：2.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL025P03FRATR
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：480pF@10V
导通电阻：75mΩ@2.5A，10V
栅极电荷：12nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
功率：1W
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL025P03FRATR
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：480pF@10V
导通电阻：75mΩ@2.5A，10V
栅极电荷：12nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
功率：1W
连续漏极电流：2.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
