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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830APBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830APBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.6pF@25V
导通电阻：260Ω@10V，4A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP9N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.6pF@25V
导通电阻：270mΩ@10V，4A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP9N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.6pF@25V
导通电阻：270mΩ@10V，4A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830APBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP9N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.6pF@25V
导通电阻：270mΩ@10V，4A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
