采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：557pF@100V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP690N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：347pF@100V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1500，"11+"：75，"14+"：40597，"16+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1500，"11+"：75，"14+"：40597，"16+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP690N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：347pF@100V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1500，"11+"：75，"14+"：40597，"16+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6Q60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@310µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：820mΩ@3.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：557pF@100V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP690N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：347pF@100V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP690N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：347pF@100V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：235pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@950mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHP690N60E-GE3
功率：62.5W
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
导通电阻：700mΩ@2A，10V
输入电容：347pF@100V
漏源电压：600V
连续漏极电流：6.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@3.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6Q60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@310µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：820mΩ@3.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：557pF@100V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：235pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@950mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：557pF@100V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：557pF@100V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：235pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@950mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：235pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@950mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：235pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@950mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N60CTU
连续漏极电流：1.9A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@950mA，10V
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
输入电容：235pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
