采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1246，"13+"：9250，"14+"：68500，"17+"：74065}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：23400，"14+"：2400，"17+"：2475}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1246，"13+"：9250，"14+"：68500，"17+"：74065}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1246，"13+"：9250，"14+"：68500，"17+"：74065}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：23400，"14+"：2400，"17+"：2475}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：18+
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ030P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
功率：80W
输入电容：500pF@25V
类型：1个N沟道
阈值电压：4V@300μA
漏源电压：800V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
