采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：9A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT650N15K
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.8pF@75V
导通电阻：59mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006KND3TL1
功率：70W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：830mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5547，"21+"：368，"22+"：2450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：9A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：9A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-LNB2306ELT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：21pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，6.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：395pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT650N15K
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.8pF@75V
导通电阻：59mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：275000，"15+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1740TP-E1-AZ
功率：1W€22W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：420pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：275000，"15+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1740TP-E1-AZ
功率：1W€22W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：420pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：9A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：9A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT650N15K
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.8pF@75V
导通电阻：59mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：9A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5547，"21+"：368，"22+"：2450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：9A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：9A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
