采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU20N06A-TP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：426pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU20N06A-TP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1875，"13+"：53000，"9999"：25}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP320SL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：426pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU20N06A-TP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：426pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1875，"13+"：53000，"9999"：25}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP320SL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP320SH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU20N06A-TP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：426pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：426pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：426pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
