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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1246，"13+"：9250，"14+"：68500，"17+"：74065}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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生产批次：{"11+"：1246，"13+"：9250，"14+"：68500，"17+"：74065}
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规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1246，"13+"：9250，"14+"：68500，"17+"：74065}
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规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD4NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
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功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
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输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
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规格型号(MPN)：STD4NK50ZT4
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功率：45W
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类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
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功率：45W
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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连续漏极电流：3A
类型：N沟道
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功率：45W
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栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
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功率：45W
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
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