销售单位:个
规格型号(MPN):AO4892
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7296
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€20.8W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:5A€12.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:66mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@10V,8.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@10V,8.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:4A
阈值电压:2.8V@250μA
输入电容:415pF@50V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:12nC@10V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:4A
阈值电压:2.8V@250μA
输入电容:415pF@50V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:68mΩ@10V,4A
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:12nC@10V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: