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    栅极电荷: 38nC@10V
    行业应用: 工业
    漏源电压: 40V
    当前匹配商品:100+
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    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC010N08M7 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC010N08M7 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC010N08M7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€78.1W

    阈值电压:4.5V@120μA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.7nF@40V

    连续漏极电流:12.5A€61A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:11pF@40V

    导通电阻:7.6mΩ@10V,10A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R0-40YS,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R0-40YS,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC010N08M7 起订532个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC010N08M7 起订532个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC010N08M7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€78.1W

    阈值电压:4.5V@120μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.7nF@40V

    连续漏极电流:12.5A€61A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:11pF@40V

    导通电阻:7.6mΩ@10V,10A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC010N08M7 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC010N08M7 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC010N08M7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€78.1W

    阈值电压:4.5V@120μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.7nF@40V

    连续漏极电流:12.5A€61A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:11pF@40V

    导通电阻:7.6mΩ@10V,10A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC010N08M7 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC010N08M7 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC010N08M7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€78.1W

    阈值电压:4.5V@120μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.7nF@40V

    连续漏极电流:12.5A€61A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:11pF@40V

    导通电阻:7.6mΩ@10V,10A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R0-40YS,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R0-40YS,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R0-40YS,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R0-40YS,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC010N08M7 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC010N08M7 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC010N08M7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€78.1W

    阈值电压:4.5V@120μA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.7nF@40V

    连续漏极电流:12.5A€61A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:11pF@40V

    导通电阻:7.6mΩ@10V,10A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R0-40YS,115 起订31500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R0-40YS,115 起订31500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R0-40YS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R0-40YS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC010N08M7 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC010N08M7 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC010N08M7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€78.1W

    阈值电压:4.5V@120μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.7nF@40V

    连续漏极电流:12.5A€61A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:11pF@40V

    导通电阻:7.6mΩ@10V,10A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R0-40YS,115 起订4500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R0-40YS,115 起订4500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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