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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VDK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VDK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP45N06VDK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP45N06VDK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
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输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VDK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VDK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VDK-E1-AY
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：38nC@10V
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
工作温度：175℃
输入电容：2300pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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