采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC010N08M7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€78.1W
阈值电压：4.5V@120μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.7nF@40V
连续漏极电流：12.5A€61A
类型：1个N沟道
反向传输电容：11pF@40V
导通电阻：7.6mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC010N08M7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€78.1W
阈值电压：4.5V@120μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.7nF@40V
连续漏极电流：12.5A€61A
类型：1个N沟道
反向传输电容：11pF@40V
导通电阻：7.6mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC010N08M7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€78.1W
阈值电压：4.5V@120μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.7nF@40V
连续漏极电流：12.5A€61A
类型：1个N沟道
反向传输电容：11pF@40V
导通电阻：7.6mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC010N08M7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€78.1W
阈值电压：4.5V@120μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.7nF@40V
连续漏极电流：12.5A€61A
类型：1个N沟道
反向传输电容：11pF@40V
导通电阻：7.6mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC010N08M7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€78.1W
阈值电压：4.5V@120μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.7nF@40V
连续漏极电流：12.5A€61A
类型：1个N沟道
反向传输电容：11pF@40V
导通电阻：7.6mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC010N08M7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€78.1W
阈值电压：4.5V@120μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.7nF@40V
连续漏极电流：12.5A€61A
类型：1个N沟道
反向传输电容：11pF@40V
导通电阻：7.6mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
