采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@75V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：125V
连续漏极电流：60A
ECCN：EAR99
输入电容：1410pF@75V
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：60A
输入电容：1535pF@15V
功率：34.7W
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：125V
连续漏极电流：60A
ECCN：EAR99
输入电容：1410pF@75V
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：125V
连续漏极电流：60A
ECCN：EAR99
输入电容：1410pF@75V
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：125V
连续漏极电流：60A
ECCN：EAR99
输入电容：1410pF@75V
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
