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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16G60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16G60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16G60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16G60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16G60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16G60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
