采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR13N20DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR13N20DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR13N20DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR13N20DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR13N20DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR13N20DTRPBF
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
输入电容：830pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：13A
阈值电压：5.5V@250µA
导通电阻：235mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR13N20DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
